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產(chǎn)品分類(lèi)

KPFM&EFM 測(cè)試樣品

荷蘭M2N供應(yīng)的AFM電學(xué)測(cè)試標(biāo)樣,氧化硅+硅基底上由鋁和金交替排列成線陣列,可實(shí)現(xiàn)KPFM功函數(shù)對(duì)比度和EFM分辨率的測(cè)試驗(yàn)證、橫向/縱向靈敏度標(biāo)定。

產(chǎn)品詳情

KPFM&EFM 測(cè)試樣品

KPFM and EFM test sample

荷蘭M2N供應(yīng)的KPFM & EFM測(cè)試樣品專(zhuān)為評(píng)估開(kāi)爾文探針力顯微術(shù)(Kelvin Probe Force Microscopy, KPFM)和靜電力顯微術(shù)(Electrostatic Force Microscopy, EFM)的成像性能而設(shè)計(jì)。該標(biāo)準(zhǔn)樣品采用氧化硅覆蓋硅基底(SiO?/Si)的微納加工工藝,由交替排列的鋁(Al)和金(Au)金屬線陣列構(gòu)成。其結(jié)構(gòu)特征如下:

 

①線寬周期:4、8、20及40 μm四組陣列  

②線間間隙:0.5-0.8 μm(亞微米級(jí)間隔)  

③線結(jié)構(gòu)高度:約35 nm(通過(guò)臺(tái)階儀或原子力顯微術(shù)(AFM)標(biāo)定)

2. 多層堆疊結(jié)構(gòu): 

①基底架構(gòu):硅芯片(搭載金屬線陣列)→ ?12 mm玻璃載片 → ?15 mm金屬載盤(pán)  

②總厚度:1.5 mm(符合標(biāo)準(zhǔn)樣品臺(tái)兼容性要求)

3. 電學(xué)連接設(shè)計(jì):Al/Au電極通過(guò)超薄銅導(dǎo)線(thin-film Cu interconnects)引出至外圍焊盤(pán),支持樣品表面電勢(shì)的接觸式測(cè)量校準(zhǔn)。

KPFM & EFM測(cè)試樣品可以實(shí)現(xiàn): 

①KPFM功函數(shù)對(duì)比度測(cè)試(Al/Au功函數(shù)差異~1.1 eV) 

②EFM空間分辨率驗(yàn)證(亞微米間隙的靜電梯度場(chǎng)檢測(cè)) 

③探針靈敏度的橫向/縱向定量標(biāo)定  

注:使用前建議通過(guò)掃描電子顯微術(shù)(SEM)或光學(xué)顯微術(shù)(OM)進(jìn)行微區(qū)定位,并依據(jù)ISO 17025標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行儀器校準(zhǔn)。  

KPFM & EFM測(cè)試樣品技術(shù)規(guī)格如下:

 

具有鋼結(jié)構(gòu)工程專(zhuān)業(yè)承包二級(jí)資質(zhì)、建筑工程施工總承包貳級(jí)資質(zhì);公司主營(yíng)產(chǎn)品包括重鋼、輕鋼、網(wǎng)架及檁條、彩鋼板等鋼結(jié)構(gòu)產(chǎn)品;近年來(lái),公司承接了國(guó)內(nèi)外大型結(jié)構(gòu)件、橋梁、車(chē)庫(kù)、標(biāo)準(zhǔn)化廠房等具有較大影響力的一系列項(xiàng)目;產(chǎn)品遠(yuǎn)銷(xiāo)白俄羅斯、贊比亞、印尼等國(guó)家,得到了一致好評(píng)。

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